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BBO晶体电光Q开关具有宽的工作波长范围(210nm-2000nm), 与DKDP和LiNbO3晶体相比, 虽然BBO晶体的电光系数小, 半波电压相对高, 但它在高平均功率系统中开关的关断性能更好, 因而非常适合于高平均功率及高重复频率的Q开关和再生放大系统.
BBO晶体电光Q开关是采用横向电场结构, 其较低的电光系数要求使用较高的工作电压. 一般通过减小电极间距(即减小通光孔径)或增长晶体长度, 可以减小1/4波电压. 对于既要保持大口径又需要较低的半波电压的情况, 我们特别设计了双晶体结构的BBO电光Q开关.
BBO晶体电光Q开关特性:
- 透过范围宽(210nm-2000nm)
- 低吸收损耗
- 高消光比
- 高损伤阈值
- 高重复率,高达100kHz
- 良好的温度稳定性
BBO晶体电光Q开关产品规格:
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晶体材料 |
BBO (Beta-Barium Borate) |
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通光孔径 |
2.6 mm |
3.6 mm |
4.6mm |
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1/4波电压@1064nm |
3.5KV |
4.9KV |
5.9KV |
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消光比@1064nm |
> 1000 : 1 |
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透过率 |
> 98 % |
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重复频率 |
<100kHz |
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损伤阈值 |
> 600 MW /cm2 (1064nm pulse, 10ns); > 3 kW/cm2 (cw power) |
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波前畸变 |
< λ/8 @ 633nm |
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电容 |
< 3 pF |
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外壳直径 |
25.4mm |
30.0mm |
30.0mm |
备注:
* 我们可以根据您的需求定制特殊规格的BBO晶体电光Q开关.
* 使用BBO晶体电光Q开关过程中, 应将BBO晶体Z轴方向调节至与光路平行.