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LiNbO3电光Q开关
LiNbO3电光Q开关的设计波长1064nm以上. 由于施加的电场垂直于光传播的方向, LiNbO3电光Q开关的工作电压要低于KD*P电光Q开关. LiNbO3电光Q开关还可以在其它的红外波长(远至4um)工作, 随着波长的增加, 半波电压也相应增加.
蓝豆光电的LiNbO3电光Q开关特性:
- 低透过损耗
- 高消光比
- 高损伤阈值
- 超高精度抛光光学表面
- 精确的晶体取向
LiNbO3晶体电光Q开关产品规格:
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晶体材料 |
LiNbO3 single crystal, optical grade |
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通光孔径 |
8.5 mm |
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1/4波电压@1064 nm |
1.65KV |
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消光比 @ 1064 nm |
> 300 : 1 |
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透过率 |
> 98 % |
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重复频率 |
<1kHz |
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损伤阈值 |
> 200 MW /cm2@1064 nm,10 ns |
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波前畸变 |
< λ/4 |
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电容 |
20 pF |
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外壳直径 |
25.4mm |